據(jù)報道，韓國技術信息部宣布該國研究團隊利用可以代替現(xiàn)有DRAM或NAND閃存的新一代候選“鐵電體存儲器（FRAM）”，將存儲芯片的存儲容量提高 了1000 倍；同時通過對鐵電體物質(zhì)氧化鉿施加3-4V的電壓，致使原子之間的力量斷裂，每個原子都可以自由移動，從而理論上可將線幅縮小至0.5納米。 現(xiàn)有半導體的最小線幅為5納米，此次發(fā)現(xiàn)在理論上可以進一步減少到十分之一以下。從而“在相同的空間里儲存1000 倍以上的信息”。該項目負責人李準熙教授表示：“在原子中儲存信息的技術，在不分裂原子的情況下成為半導體產(chǎn)業(yè)終極儲存技術的幾率很高。”值得注意的是，F(xiàn)RAM是現(xiàn)有的半導體材料，被認為商用化的可能性非常高。 相關上市公司： 上海貝嶺：存儲芯片已形成系列產(chǎn)品，公司“鐵電體存儲器芯片”項目被列為國家技術創(chuàng)新重點新產(chǎn)品； 東方鋯業(yè)：旗下有氧化鉿產(chǎn)品。 |
