露笑科技(002617)11月23日晚間披露非公開發行A股股票預案，募集資金總額不超過29.4億元，將用于“第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目”、“大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目”和“補充流動資金”項目。另外，控股子公司合肥露笑半導體于近日與東莞天域簽訂戰略合作協議。東莞天域將優先選用合肥露笑半導體生產的6英寸碳化硅導電襯底，2022年、2023年、2024年合肥露笑半導體需為東莞天域預留產能不少于15萬片。 寬禁帶半導體材料屬于我國產業政策鼓勵發展的關鍵戰略材料，本項目擬生產的 6 英寸碳化硅襯底材料屬于國家產業規劃重點應用領域亟需的新材料。作為第三代半導體的基礎材料，碳化硅在特定領域的應用具有較為明顯的優勢和較為廣闊的前景，屬于我國產業政策重點扶持的領域。國家產業政策的支持促進了寬禁帶半導體材料技術瓶頸的突破，增強了國內寬禁帶半導體公司的自主研發能力，提高了行業的整體競爭力。 隨著公司技術的不斷進步，碳化硅晶體晶片產品品質不斷提升，公司具備擴充產能推動碳化硅襯底材料國產化替代的技術實力，本項目符合國家產業政策和行業的發展方向。
根據國家發改委發布的《戰略型新興產業重點產品和服務指導目錄（2016年版）》，碳化硅等電子功能材料列入戰略型新興產業重點產品目錄。根據 2016年 12 月工信部、國家發改委、科技部與財政部聯合發布的《新材料產業發展指南》，寬禁帶半導體材料屬于鼓勵發展的“關鍵戰略材料”，大尺寸碳化硅單晶屬于“突破重點應用領域急需的新材料”。此外，繼“十二五”、“十三五”后，碳化硅半導體于 2021 年 3 月再次被列入“十四五”規劃中的重點支持領域。作為寬禁帶半導體器件制造的關鍵原材料，碳化硅襯底材料制造的技術門檻較高，國內能夠向企業用戶穩定供應 6 英寸碳化硅襯底的生產廠商相對有限。受中美貿易環境等經濟局勢影響，近年來我國碳化硅器件廠商的原材料供應受到較大程度的制約，下游市場出現了供不應求的局面。提高碳化硅襯底材料的國產化率、實現進口替代是我國寬禁帶半導體行業亟需突破的產業瓶頸。 本項目通過進一步優化工藝技術，項目完成后將形成年產 24 萬片 6 英寸導電型碳化硅襯底片的生產能力，能夠實現對下游客戶的穩定批量供應，緩解下游市場對碳化硅襯底材料的迫切需求。 由于受國內外宏觀經濟的影響，公司所在行業的競爭不斷加劇，行業下游需求存在不確定性；上游材料價格受國際國內多重因數影響，價格波動較大，對經營產生一定的影響。公司只有不斷調整產品結構，積極開發新產品，通過技術改造、管理提升降低成本，通過創新與競爭對手形成差異化優勢，增加市場競爭力，利用露笑的品牌、技術和規模優勢，才能繼續保持國內領先水平。 為滿足公司持續發展的需要，以新技術、新產品發展公司戰略新興產業，公司在原有藍寶石生產技術支持下成功研發出碳化硅長晶設備，而本次非公開發行股票募集資金主要用于投資生產碳化硅晶體材料和建設大尺寸碳化硅襯底片研發中心，公司將繼續專注第三代半導體晶體產業，拓展碳化硅在新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域的應用。 公司利用本次募集資金，可以豐富產品種類和規格，保持市場競爭力，為未來業績增長打下堅實的基礎。 目前碳化硅在 600 伏以上的電力電子領域，如 FPC 電源、光伏逆變器、新能源汽車的電機控制器、車載充電機、DC-DC 及充電樁有很多的應用，且該材料在白色家電、軌道交通、醫療設備、國防軍工等領域也會得到越來越多的應用。 根據產業研究機構 Yole Développement（Yole）的相關預測，碳化硅（SiC）功率半導體市場產值到 2025 年將達到 25.62 億美元，該市場在 2019 年到 2025年之間的年復合成長率達到 29.59%。因此，廣闊的市場前景為本項目實施提供了良好的市場基礎。 據 IHS 數據，2023 年全球碳化硅器件需求有望達 16.44 億美元，2017 年-2023年復合增速約為 26.6%；下游主要應用場景包含 EV、快充樁、UPS 電源（通信）、光伏、軌道交通以及航天軍工等領域，其中電動車行業有望迎來快速爆發，通信、光伏等市場空間較大。伴隨碳化硅器件成本下降，全生命周期成本性能優勢有望不斷放大，潛在替代空間巨大。 本次募投項目生產相關產品屬于國家鼓勵、支持的關鍵產品、關鍵材料，目前我國已制定了一系列針對半導體行業的產業支持政策和產業發展規劃，繼“十二五”、“十三五”后，碳化硅半導體再次被列入“十四五”規劃中的重點支持領域： 2012 年 7 月國務院印發的《“十二五”國家戰略性新興產業發展規劃》為我國“十二五”電子核心基礎產業提出總體發展目標，該規劃明確指出應重點掌握掌握新一代半導體材料及器件的制造技術，集成電路設計、制造、封裝測試技術達到國際先進水平；實現下一代顯示器件與國際先進水平同步發展；新型關鍵元器件滿足國內市場需求并具有國際競爭力；電子專用儀器設備和材料基本滿足國內配套需要，形成核心競爭力。 2016 年 3 月全國兩會發布“十三五規劃”，針對功率器件行業：加強與整機產業的聯動，以市場促進器件開發、以設計帶動制造、推動“虛擬 IDM”運行模式的發展；建設國家級半導體功率器件研發中心，實現從“材料-器件-晶圓-封裝-應用”全產業鏈的研究開發；大力發展國產 IGBT 產業，促進 SiC 和 GaN器件應用。 2021 年 3 月，十三屆全國人大四次會議審議通過的《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和 2035 年遠景目標綱要》指出，集中優勢資源攻關關鍵核心技術，包括集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。在人才積累和儲備方面，公司擁有浙江省級研究院、博士后科研工作站、省級技術中心等平臺，擁有一支優秀的研發團隊，多次承擔國家、省部級科技計劃項目，多次獲得各級科技獎。截至 2021 年 9 月末，公司參與制修訂國家/行業標準 48 項，累計擁有國內領先的科技成果近 20 項，有深厚的技術積累和豐富的人才儲備。公司已儲備國內較早從事碳化硅晶體生長研究的專家人才——陳之戰博士。陳之戰博士1998年開始從事碳化硅晶體的生長研究，已有23年的豐富經驗。陳之戰博士長期在中國科學院上海硅酸鹽所工作，先后任助理研究員、副研究員和研究員，現任上海師范大學研究員、教授以及公司的首席科學家。陳之戰博士率先在國內開展碳化硅晶體生長、加工研究，科研經費超億元，協助建設了國內第一條完整的碳化硅晶體生長和加工中試線，發表論文 100 余篇，授權專利 50余項，出版專著一本。 在技術積累方面，公司在布局藍寶石業務期間積累了大量的生產藍寶石長晶爐的經驗，由于藍寶石晶體和碳化硅晶體生長之間的相似性，公司在碳化硅晶體生長的長晶爐上同樣具有較強的實力。公司憑借在藍寶石業務上的深厚積淀，已突破數項碳化硅長晶爐及長晶環節關鍵技術。目前，公司已掌握碳化硅單晶晶體生長、加工、切、磨、拋、洗整體解決技術和工藝方案，產品指標處于行業領先水平，尤其是突破了晶體高品質生長、高精度晶體晶向加工、近零損傷表面加工、表面痕量污染控制、高幾何精度加工、表面應力消除等關鍵技術。 此外，公司在市場和品牌等方面具有一定優勢。露笑品牌已成為行業內具有較高知名度的品牌，品牌和客戶資源已是公司最重要的無形資產之一，露笑牌漆包線被評為“浙江名牌”，露笑商標被認定為浙江省著名商標。公司始終堅持以客戶需求為價值導向，確保能開發出契合客戶需求的產品，并與國內外知名企業三星、LG、恩布拉科、艾默生、美的、正泰、長虹、海爾、錢江制冷建立了良好的合作關系，擁有豐富的客戶資源。就碳化硅業務領域而言，公司在前期市場與客戶培育工作的基礎上，已全面開展下游客戶的樣品驗證和產品的實質性銷售工作，目前公司已經與多家重要客戶建立實質性業務聯系。 綜上，公司具備了項目實施的人才、技術、市場等各項必要條件。 |
