HBM霸主SK海力士產能版圖再擴張，HBM市場有望快速增長 ...
早間投資機會：HBM霸主SK海力士產能版圖再擴張，HBM市場有望快速增長 AI芯片霸主英偉達的最核心HBM存儲系統供應商SK海力士計劃擴大人工智能基礎設施的核心硬件組件——HBM存儲系統等下一代動態隨機存取存儲(DRAM)芯片的產能。據了解，這家韓國存儲芯片制造商計劃投資約5.3萬億韓元(大約38.6億美元)，在韓國忠清北道的清州建造M15X晶圓廠，作為新的DRAM存儲芯片大型生產基地。此前不久SK海力士宣布計劃投資約40億美元，在美國建立大型的芯片先進封裝工廠。 此前還有消息稱，三星和AMD公司簽署了價值4萬億韓元的HBM3E供貨合同。AMD采購三星的HBM，而作為交換三星會采購AMD的AI加速卡，但具體換購數量目前尚不清楚。三星日前表示將于今年上半年量產HBM3E 12H內存，而AMD預估將會在今年下半年開始量產相關的AI加速卡。 廣發證券發布研報指出，GDDR是專為圖形處理應用設計的高速內存技術，搭配GPU用于圖形處理、數據中心加速和AI等需要高帶寬數據處理的場景。HBM是一種新型內存，得益于堆疊結構和垂直TSV互連，HBM具有更高的傳輸帶寬、更高的存儲密度、更低的功耗以及更小的尺寸，高帶寬優勢對大模型訓練和推理的效率提升至關重要。近年來，大部分高端數據中心GPU和ASIC均使用HBM作為內存方案，GDDR在推理等場景中具備性價比優勢。未來，HBM技術持續向更高帶寬、更大容量發展，12Hi-16Hi HBM4有望2026年進入量產。 中信證券研報認為，在AI大模型時代云端、終端算力雙重爆發的帶動下，存儲行業將從漲價修復周期轉向技術成長共振的新周期。云端角度，HBM高帶寬特性能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求，與AI算力規模快速擴容相輔相成，帶動TSV、2.5D封裝(CoWoS)需求；此外企業級內存條和SSD需求亦同步攀升。終端角度，端側大模型落地帶動SoC算力提升，內存作為算力的核心配套，對其規格、容量均提出更高的要求。對于新型存儲HBM，公司建議關注布局先進封裝的封測廠商、半導體設備廠商；對于傳統存儲DRAM/NAND Flash，公司建議關注受益DDR5滲透的內存配套芯片廠商，以及布局企業級內存模組的頭部模組廠商。 |
