HBM霸主SK海力士產(chǎn)能版圖再擴張，HBM市場有望快速增長 ...
早間投資機會：HBM霸主SK海力士產(chǎn)能版圖再擴張，HBM市場有望快速增長 AI芯片霸主英偉達的最核心HBM存儲系統(tǒng)供應(yīng)商SK海力士計劃擴大人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的核心硬件組件——HBM存儲系統(tǒng)等下一代動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)芯片的產(chǎn)能。據(jù)了解，這家韓國存儲芯片制造商計劃投資約5.3萬億韓元(大約38.6億美元)，在韓國忠清北道的清州建造M15X晶圓廠，作為新的DRAM存儲芯片大型生產(chǎn)基地。此前不久SK海力士宣布計劃投資約40億美元，在美國建立大型的芯片先進封裝工廠。 此前還有消息稱，三星和AMD公司簽署了價值4萬億韓元的HBM3E供貨合同。AMD采購三星的HBM，而作為交換三星會采購AMD的AI加速卡，但具體換購數(shù)量目前尚不清楚。三星日前表示將于今年上半年量產(chǎn)HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD預(yù)估將會在今年下半年開始量產(chǎn)相關(guān)的AI加速卡。 廣發(fā)證券發(fā)布研報指出，GDDR是專為圖形處理應(yīng)用設(shè)計的高速內(nèi)存技術(shù)，搭配GPU用于圖形處理、數(shù)據(jù)中心加速和AI等需要高帶寬數(shù)據(jù)處理的場景。HBM是一種新型內(nèi)存，得益于堆疊結(jié)構(gòu)和垂直TSV互連，HBM具有更高的傳輸帶寬、更高的存儲密度、更低的功耗以及更小的尺寸，高帶寬優(yōu)勢對大模型訓練和推理的效率提升至關(guān)重要。近年來，大部分高端數(shù)據(jù)中心GPU和ASIC均使用HBM作為內(nèi)存方案，GDDR在推理等場景中具備性價比優(yōu)勢。未來，HBM技術(shù)持續(xù)向更高帶寬、更大容量發(fā)展，12Hi-16Hi HBM4有望2026年進入量產(chǎn)。 中信證券研報認為，在AI大模型時代云端、終端算力雙重爆發(fā)的帶動下，存儲行業(yè)將從漲價修復(fù)周期轉(zhuǎn)向技術(shù)成長共振的新周期。云端角度，HBM高帶寬特性能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求，與AI算力規(guī)模快速擴容相輔相成，帶動TSV、2.5D封裝(CoWoS)需求；此外企業(yè)級內(nèi)存條和SSD需求亦同步攀升。終端角度，端側(cè)大模型落地帶動SoC算力提升，內(nèi)存作為算力的核心配套，對其規(guī)格、容量均提出更高的要求。對于新型存儲HBM，公司建議關(guān)注布局先進封裝的封測廠商、半導體設(shè)備廠商；對于傳統(tǒng)存儲DRAM/NAND Flash，公司建議關(guān)注受益DDR5滲透的內(nèi)存配套芯片廠商，以及布局企業(yè)級內(nèi)存模組的頭部模組廠商。 |
