據(jù)《科創(chuàng)板日報(bào)》消息，存儲(chǔ)大廠美光正在美國建設(shè)HBM產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM、在日本新建DRAM廠，目標(biāo)是在2025年將公司HBM市占率提高兩倍以上，達(dá)到20%左右。其背景是，全球HBM產(chǎn)能嚴(yán)重不足。 據(jù)悉，HBM是AI芯片中占比最高的部分。英偉達(dá)H100成本接近3000美元，其中HBM成本為2000美元左右，大幅超過制造和封裝環(huán)節(jié)。而不久前英偉達(dá)宣布，將其AI芯片更新周期從兩年壓縮至一年，這不僅意味著供應(yīng)商需加速擴(kuò)產(chǎn)，也敦促供應(yīng)商加快技術(shù)演進(jìn)。這導(dǎo)致，不光是2024年，存儲(chǔ)原廠連2025年的HBM產(chǎn)能也已被預(yù)訂一空，訂單能見度甚至直達(dá)2026年一季度。 因此美光選擇了全球擴(kuò)產(chǎn)。不過，因布局較晚，美光的HBM單月產(chǎn)能目前仍僅為SK海力士的1/19。而SK海力士雖然在HBM競逐中保持領(lǐng)先，并也已走上大幅擴(kuò)產(chǎn)的路。 有消息稱SK海力士計(jì)劃將第5代1b DRAM產(chǎn)能從今年一季度的1萬片增加到年末的9萬片，到明年上半年進(jìn)一步提升至14萬-15萬片。而存儲(chǔ)三巨頭之一的三星也預(yù)計(jì)今年HBM產(chǎn)能將增至去年的2.9倍。 技術(shù)迭代方面，SK海力士和三星據(jù)悉都已完成采用16層“混合鍵合”的HBM內(nèi)存技術(shù)驗(yàn)證，未來將用于HBM4量產(chǎn)。而我國HBM企業(yè)也已開啟提速追趕之路。業(yè)內(nèi)指出，目前國內(nèi)已有材料公司、封測公司、IC設(shè)備廠，也有代銷商等打入HBM產(chǎn)業(yè)鏈。 展望后市，光大證券分析，AI芯片需求高增下，HBM的缺產(chǎn)狀況仍會(huì)持續(xù)較長一段時(shí)間，除了海外三大存儲(chǔ)巨頭將受益需求“量價(jià)齊升”并加大資金開支，具有成本和產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢的國內(nèi)企業(yè)，也會(huì)加速介入更多HBM生產(chǎn)環(huán)節(jié)。 落腳到A股市場，可關(guān)注在封測、設(shè)備、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)供貨能力較強(qiáng)的國內(nèi)企業(yè)的受益性。根據(jù)市場公開資料顯示，相關(guān)概念股包括：長電科技、通富微電、華海清科、艾森股份等。 |
