芯片國(guó)產(chǎn)化概念股華微電子(600360)2017年三季報(bào)點(diǎn)評(píng)
芯片國(guó)產(chǎn)化概念股華微電子(600360)2017年三季報(bào)點(diǎn)評(píng):功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代先鋒 業(yè)績(jī)保持高增長(zhǎng) 市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體機(jī)遇期。隨著新能源車產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)，高端功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。根據(jù)《十三五國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，到2020 年實(shí)現(xiàn)當(dāng)年產(chǎn)銷200 萬輛以上，累計(jì)產(chǎn)銷500 萬輛。IGBT 是新能源車及直流充電樁中核心半導(dǎo)體功率器件，我們認(rèn)為在新能源車行業(yè)快速發(fā)展的驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)IGBT 及其IPM（智能功率模塊）市場(chǎng)需求將實(shí)現(xiàn)同步快速增長(zhǎng)。目前，IGBT 和IPM 在應(yīng)用中已作為單獨(dú)的功能模塊，其主要被三菱、意法半導(dǎo)體、英飛凌等國(guó)際大廠占據(jù)，國(guó)內(nèi)廠商相對(duì)落后，替代空間廣闊。在行業(yè)高成長(zhǎng)以及自主可控大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)高端功率半導(dǎo)體廠商將迎來歷史機(jī)遇期，率先實(shí)現(xiàn)IGBT 等高端器件國(guó)產(chǎn)化突破的廠商有望獲得高速發(fā)展。 產(chǎn)品體系化優(yōu)勢(shì)突出，IGBT 打開成長(zhǎng)空間。公司持續(xù)加大產(chǎn)品系列化進(jìn)程，從單一器件供應(yīng)商逐步轉(zhuǎn)變?yōu)榻鉀Q方案供應(yīng)商。目前，公司已建立從高端二極管、單雙向可控硅、高壓MOS系列、低壓Trench MOS系列到Trench-FS IGBT 在內(nèi)的國(guó)內(nèi)具有競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品系列。 公司保持消費(fèi)電子領(lǐng)域產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)同時(shí)，持續(xù)加大高技術(shù)研發(fā)力度。根據(jù)公司公告，目前公司第六代IGBT 產(chǎn)品已研發(fā)成功并在新能源車、充電樁、變頻家電等領(lǐng)域取得良好應(yīng)用反饋。我們認(rèn)為公司在新能源車IGBT 領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，制造工藝突出，有望在高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)突破，打開成長(zhǎng)空間。 投資建議：買入-A 投資評(píng)級(jí)。我們預(yù)計(jì)公司2017 年-2019 年凈利潤(rùn)分別為1.10 億、1.69 億、2.29 億元，凈利潤(rùn)增速分別為171.9%、52.9%、35.3%，對(duì)應(yīng)EPS 分別為0.15、0.23、0.31 元/股。考慮行業(yè)資源整合趨勢(shì)給予公司較強(qiáng)內(nèi)生外延發(fā)展預(yù)期；軍工/新能源亟待突破，高附加值產(chǎn)品持續(xù)優(yōu)化獲利能力。鑒于未來業(yè)績(jī)高成長(zhǎng)以及潛在突破行業(yè)估值中樞較高，給予2017 年動(dòng)態(tài)PE 70X，6 個(gè)月目標(biāo)價(jià)為10.52 元。 風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)下行，新應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品擴(kuò)展進(jìn)度不及預(yù)期 |
