光迅科技(002281)中國制造2025 光電子國創中心從"芯"開始
【2017-11-29】 事件 公司牽頭組建的“國家信息光電子創新中心”，近日已由國家工信部正式批復同意建設。 制造大國到制造強國，“中國芯”產業化之路啟航 國家信息光電子創新中心以光電子發展聯盟為基礎，武漢光谷信息光電子創新中心有限公司為依托，采取“公司+聯盟”模式運行。其中武漢光谷信息光電子創新中心有限公司由光迅科技6000 萬元出資成立，后引入8 家戰略投資者增資至1.6 億元資本。中心目前共有三個分布區域，分別為芯片技術部、器件技術部和集成光電部區域。依托光迅芯片平臺、國家重點實驗室兩大技術平臺，創新中心組建了光電芯片工藝平臺和光電集成研發平臺（硅光平臺、高端器件驗證平臺），形成了從材料生長，芯片后工藝、光子集成、光電集成、高速系統硬件試驗測試的高端工藝和測試的技術平臺。 資金支持上，前期平臺能力建設包括國家（工信部及地方政府）和股東出資方一次性補助約數億元,未來項目股東、國家分比例出資，并擇機利用各個地方政策來建分中心，積累資金和社會資本，達到輻射全國的目標。國家光電子中心將圍繞信息光電子產業發展的重要需求，支撐實現關鍵共性技術轉移擴散和首次商業化應用。目標到2020 年，解決25G 速率及以下光電子芯片技術，實現國內廠家在核心光電子芯片和器件的市場占有率不低于30%。 公司光模塊全產業鏈垂直布局，產品結構改善不斷開拓新市場 公司近期主要增長邏輯：1）電信光模塊龍頭，17 年下半年運營商傳輸網建設回暖，100G 設備端口集采逐步落地，公司電信市場業務受益；2）公司數通市場推出主流100G QSFP28 模塊產品線，并與硅光子領先企業Mellanox 合作研發生產100G 硅光收發模塊，兩條腿（傳統分立器件+硅光集成）走路，不錯過任何一條技術發展路線，隨著公司100G 模塊技術路線成熟，良率進一步提升，18 年100G 數通光模塊銷售額有望提升到一個新的高度；3）10G EML 光芯片已通過設備商認證實現自給并批量出貨，提升10G/40G 產品線價格競爭力，25G DFB/EML 光芯片有望在18 年下半年實現量產，提升100G 產品毛利率并卡位19 年5G 基站的第一波建設；4）依托自由研發實力進軍3D Sensing 模組及量子通信上游器件，前沿技術跟緊全球步伐。 投資建議及盈利預測：短期看好公司在傳統電信領域通過垂直一體化運營進一步降低成本并提升份額；中長期看好其在高速光芯片、消費者電子以及量子通信幾個領域加大布局力度，提升整體業績體量。我們預計公司17~19 年凈利潤3.49 億元、4.52 億元、5.89 億元，對應18 年PE 44x, 維持“買入”評級。 風險提示：高速光芯片開發進度不及預期，行業競爭加劇侵蝕盈利空間 |
